Qualidade Bolacha do nitreto do gálio & Bolacha da safira fabricante

   Safira ∙ Não há nome errado aqui!         Os entusiastas de relógios certamente estão familiarizados com o termo "cristal de safira," como a grande maioria dos modelos de relógios conhecidos, com exceção de peças inspiradas em vintage, quase universalmente têm este material nas suas especificações.Isto levanta três questões-chave:     1O safiro é valioso? 2O vidro de um relógio de cristal de safira é mesmo feito de safira? 3Porquê usar safira?       Na realidade, o safiro usado na relojoaria não é o mesmo que a pedra preciosa natural no sentido tradicional.que é um safiro sintético composto principalmente por óxido de alumínio (Al2O3)Como não são adicionados corantes, a safira sintética é incolor.         Do ponto de vista químico e estrutural, não há diferença entre safira natural e sintética.   A razão pela qual as principais marcas de relógios favorecem unanimemente o cristal de safira para óculos de relógio não é apenas porque soa premium, mas principalmente devido às suas propriedades excepcionais:       - Dureza: O safiro sintético é igual ao safiro natural em 9 na escala de Mohs, em segundo lugar apenas para o diamante, tornando-o altamente resistente a arranhões (ao contrário do acrílico, que pode ser facilmente arranhado).   - Durabilidade: Resiste à corrosão, ao calor e é altamente condutor térmico.   - Claridade óptica: O cristal de safira oferece uma transparência excepcional, tornando-o sem dúvida o material perfeito para a relojoaria moderna.         A utilização do cristal de safira na relojoaria começou na década de 1960 e rapidamente se difundiu.É praticamente a única escolha na relojoaria de ponta..       Então, em 2011, o safiro mais uma vez tornou-se uma sensação na indústria relojoeira de luxo quando a RICHARD MILLE revelou o RM 056,com uma caixa de safira totalmente transparente, uma inovação sem precedentes na relojoaria de ponta.Muitas marcas logo perceberam que o safiro não era só para cristais de relógio, podia também ser usado para caixas, e parecia impressionante.           Em apenas alguns anos, as caixas de safira tornaram-se uma tendência, evoluindo de transparência clara para cores vibrantes, resultando em desenhos cada vez mais diversos.relógios com caixa de safira passados de edições limitadas para modelos de produção regular, e até colecções de núcleo.   Então hoje, vamos dar uma olhada em alguns dos relógios com caixa de cristal de safira.     Artya     Turbilhão de pureza Este Tourbillon de pureza da relojoeira suíça independente ArtyA apresenta um design altamente esqueletizado e uma caixa de safira transparente,maximizando o impacto visual do tourbillon, tal como o nome sugere.Turbilhão puro.     BELL & Ross     BR-X1 Cronógrafo Tourbillon Sapphire Em 2016, a Bell & Ross lançou seu primeiro relógio de safira, o BR-X1 Chronograph Tourbillon Sapphire, limitado a apenas 5 peças e com um preço de mais de € 400.000.Eles lançaram uma versão esqueletizada ainda mais transparenteEm 2021, eles introduziram o BR 01 Cyber Skull Sapphire, com seu motivo de crânio característico em uma caixa quadrada em negrito.         BLANCPAIN   L-Evolução Estritamente falando, o repetidor de minutos L-Evolution da Blancpain, o Carillon Sapphire, não tem uma caixa totalmente de safira.Mas as suas pontes de safira transparentes e janelas laterais criam um efeito de transparência impressionante, um "meio passo" em caixas de safira.     CHANEL           J12 Raios-X Para o 20o aniversário do J12, a Chanel revelou o J12 X-RAY.Obtenção de uma aparência totalmente transparente e visualmente deslumbrante.             CHOPARD     L.U.C. Full Strike Safira Lançado em 2022, o L.U.C Full Strike Sapphire da Chopard foi o primeiro repetidor de minutos com uma caixa de safira.O relógio também ganhou o Poinçon de Genève (Selo de Genebra), o primeiro relógio não-metálico a fazê-lo.     GIRARD-PERREGAUX     Quasar Em 2019, Girard-Perregaux introduziu seu primeiro relógio com caixa de safira, o Quasar, com seu design icônico "Three Bridges".A coleção Laureato Absolute estreou seu primeiro modelo de safira em 2020, ao lado do Tribute Absoluto do Laureado com uma caixa transparente vermelha, embora não safira, mas um novo material policristalino chamado YAG (granate de ítrium de alumínio).         Grubel Forsey     30° Tourbillon duplo safira O Greubel Forsey's 30° Double Tourbillon Sapphire destaca-se porque tanto a caixa como a coroa são feitas de cristal de safira.Dispõe de quatro barris acoplados em série para 120 horas de reserva de marchaPreço superior a 1 milhão de dólares, limitado a 8 peças.     JACOB & CO.     Astronomia Imparcial Para mostrar plenamente o movimento de enrolamento manual JCAM24, a Jacob & Co. criou o Astronomia Flawless com uma caixa totalmente de safira.     Richard Mille     Como pioneira na fabricação de caixas de safira, a RICHARD MILLE domina o material. quer seja em relógios masculinos ou femininos, quer em relógios complicados, as caixas de safira são uma assinatura.RICHARD MILLE também enfatiza as variações de cores, fazendo com que os seus relógios de safira sejam ultra modernos.       Desde cristais de safira até caixas de safira, este material tornou-se um símbolo da inovação da relojoaria de alta qualidade.

  O corte a laser tornar-se-á a tecnologia dominante para cortar carburo de silício de 8 polegadas no futuro       Q: Quais são as principais tecnologias de processamento de cortes de carburo de silício?   R: A dureza do carburo de silício é a segunda depois da do diamante, e é um material de alta dureza e frágil.O processo de cortar os cristais crescidos em folhas leva muito tempo e é propenso a rachadurasComo o primeiro processo no processamento de cristais únicos de carburo de silício, o desempenho do corte determina os níveis subsequentes de moagem, polir, diluir e outros níveis de processamento.O processo de corte é propenso a causar rachaduras na superfície e no subsuperfício da bolacha, aumentando a taxa de quebra e o custo de fabrico da bolacha.Controlar os danos causados pelas rachaduras na superfície do corte de wafer é de grande importância para promover o desenvolvimento da tecnologia de fabricação de dispositivos de carburo de silícioAs tecnologias de processamento de corte de carburo de silício atualmente relatadas incluem principalmente a consolidação, o corte abrasivo livre, o corte a laser, a separação a frio e o corte por descarga elétrica.Dentre os quais o corte multicâmbrico abrasivo por fio de diamante consolidado é o método mais comumente utilizado para processar cristais únicos de carburo de silícioQuando o tamanho do lingote de cristal atinge 8 polegadas ou mais, os requisitos para o equipamento de corte de fio são muito elevados, o custo também é muito alto e a eficiência é muito baixa.Há uma necessidade urgente de desenvolver novas tecnologias de corte de baixo custo, com baixas perdas e alta eficiência.       Ingota de cristal de SiC da ZMSH       P: Quais são as vantagens da tecnologia de corte a laser em relação à tecnologia tradicional de corte de fios múltiplos? R: No processo tradicional de corte de fio, os lingotes de carburo de silício precisam ser cortados em uma certa direção em folhas finas com espessura de várias centenas de mícrons.Essas folhas são então moídas com fluido de moagem de diamantes para remover marcas de ferramentas e danos de rachaduras subterrâneas da superfície e alcançar a espessura necessáriaApós isso, o polimento CMP é realizado para alcançar a planarização global e, finalmente, as wafers de carburo de silício são limpas.Devido ao facto de o carburo de silício ser um material de alta dureza e quebradiça, é propenso a deformação e rachaduras durante o corte, moagem e polir, o que aumenta a taxa de quebra da bolacha e o custo de fabricação.a rugosidade da superfície e da interface é elevadaAlém disso, o ciclo de processamento de corte de fios múltiplos é longo e o rendimento é baixo.Estima-se que o método tradicional de corte de fios múltiplos tenha uma taxa de utilização global de material de apenas 50%As primeiras estatísticas de produção do estrangeiro mostram que, com uma produção paralela contínua de 24 horas, a perda de corte é de até 75%.Leva cerca de 273 dias para produzir 10São 1000 peças, o que é um tempo relativamente longo. Atualmente, a maioria das empresas nacionais de crescimento de cristais de carburo de silício adota a abordagem de "como aumentar a produção" e aumenta significativamente o número de fornos de crescimento de cristais.quando a tecnologia de crescimento de cristais ainda não está totalmente madura e a taxa de rendimento é relativamente baixaA adopção de equipamentos de corte a laser pode reduzir significativamente as perdas e aumentar a eficiência da produção.tomando como exemplo um único lingote de SiC de 20 mm, 30 wafers 350um podem ser produzidos com uma serra de arame, enquanto mais de 50 wafers podem ser produzidos com tecnologia de corte a laser.devido às melhores características geométricas das wafers produzidas por corte a laserA partir de uma única lingota de 20 mm de SiC podem ser produzidas mais de 80 wafers.A tecnologia tradicional de corte de fios múltiplos tem sido amplamente aplicada em carburo de silício de 6 polegadas e abaixoNo entanto, leva de 10 a 15 dias para cortar o carburo de silício de 8 polegadas, que tem altos requisitos de equipamento, alto custo e baixa eficiência.As vantagens técnicas do corte a laser de grande porte tornam-se aparentes e tornar-se-á a tecnologia dominante para o corte de 8 polegadas no futuroO corte a laser de lingotes de carburo de silício de 8 polegadas pode alcançar um tempo de corte de uma peça inferior a 20 minutos por peça, enquanto a perda de corte de uma peça é controlada dentro de 60um.       Ingota de cristal de SiC da ZMSH     Em geral, em comparação com a tecnologia de corte de fios múltiplos, a tecnologia de corte a laser tem vantagens como alta eficiência e velocidade, alta taxa de corte, baixa perda de material e limpeza. P: Quais são as principais dificuldades na tecnologia de corte a laser de carburo de silício? R: O processo principal da tecnologia de corte a laser de carburo de silício consiste em duas etapas: modificação a laser e separação de wafer. O núcleo da modificação do laser é a forma e otimização do feixe de laser.e velocidade de varredura vai afetar o efeito de ablação de carburo de silício modificação e subsequente separação de waferAs dimensões geométricas da zona de modificação determinam a rugosidade da superfície e a dificuldade de separação subsequente.A alta rugosidade da superfície aumentará a dificuldade de moagem subsequente e aumentará a perda de material. Após a modificação a laser, a separação de wafers depende principalmente da força de cisalhamento para descascar as wafers cortadas dos lingotes, como rachaduras a frio e força de tração mecânica.A pesquisa e desenvolvimento dos fabricantes domésticos usam principalmente transdutores ultrassônicos para separar por vibração, o que pode levar a problemas como a fragmentação e a fragmentação, reduzindo assim o rendimento dos produtos acabados.   As duas etapas acima não deverão representar dificuldades significativas para a maioria das unidades de investigação e desenvolvimento.devido aos diferentes processos e dopagem de lingotes de cristal de vários fabricantes de crescimento de cristalA qualidade dos lingotes de cristal varia muito ou, se a dopagem interna e a tensão de um único lingote de cristal forem desiguais, isso aumentará a dificuldade de cortar o lingote de cristal,aumentar as perdas e reduzir o rendimento dos produtos acabadosA mera identificação através de vários métodos de detecção e, em seguida, a realização de escaneamento laser de zona de corte pode não ter um efeito significativo na melhoria da eficiência e da qualidade da fatia.Como desenvolver métodos e tecnologias inovadores, otimizar os parâmetros do processo de corte,e desenvolver equipamentos de corte a laser e tecnologias com processos universais para lingotes de cristal de diferentes qualidades de diferentes fabricantes é o núcleo da aplicação em larga escala.   P: Além do carburo de silício, a tecnologia de corte a laser pode ser aplicada ao corte de outros materiais semicondutores? R: A tecnologia de corte a laser primitiva foi aplicada em vários campos de materiais.Ele se expandiu para o corte de grandes cristais individuaisAlém do carburo de silício, também pode ser usado para cortar materiais de alta dureza ou frágeis, como materiais de cristal único, como diamante, nitreto de gálio e óxido de gálio.A equipa da Universidade de Nanjing fez muito trabalho preliminar no corte destes vários cristais semicondutores., verificando a viabilidade e as vantagens da tecnologia de corte a laser para cristais únicos de semicondutores.       Wafer Diamond & Wafer GaN da ZMSH       P: Existem atualmente produtos maduros de equipamento de corte a laser no nosso país?   R: O equipamento de corte a laser de carburo de silício de grande porte é considerado pela indústria como o equipamento principal para cortar lingotes de carburo de silício de 8 polegadas no futuro.Os equipamentos de corte a laser de lingotes de carburo de silício de grande porte só podem ser fornecidos pelo JapãoA produção de equipamentos de corte/afinação a laser é muito cara e está sujeita a um embargo contra a China.000 unidades com base no número de unidades de corte de fios e na capacidade prevista de carburo de silícioAtualmente, empresas domésticas como Han's Laser, Delong Laser e Jiangsu General investiram grandes quantidades de dinheiro no desenvolvimento de produtos relacionados,Mas ainda não foi aplicado equipamento comercial doméstico maduro nas linhas de produção.   Já em 2001, the team led by Academician Zhang Rong and Professor Xiu Xiangqian from Nanjing University developed a laser exfoliation technology for gallium nitride substrates with independent intellectual property rightsNo ano passado, aplicámos esta tecnologia ao corte e ao afinação a laser de carburo de silício de grandes dimensões.Concluímos o desenvolvimento de equipamentos de protótipo e pesquisa e desenvolvimento de processos de corte, alcançando o corte e o afinamento de wafers de carburo de silício semi-isolantes de 4-6 polegadas e o corte de lingotes de carburo de silício condutores de 6-8 polegadas.O tempo de corte para o carburo de silício semi-isolante de 6-8 polegadas é de 10-15 minutos por fatia, com uma perda de uma única fatia inferior a 30 μm. O tempo de corte de uma única peça para lingotes de carburo de silício condutores de 6-8 polegadas é de 14 a 20 minutos por peça, com uma perda de uma única peça inferior a 60 um.Estima-se que a taxa de produção possa ser aumentada em mais de 50%Após o corte, moagem e polir, os parâmetros geométricos das bolhas de carburo de silício cumprem as normas nacionais.Os resultados da investigação também mostram que o efeito térmico durante o corte a laser não tem qualquer influência significativa sobre a tensão e os parâmetros geométricos do carburo de silícioUsando este equipamento, também realizámos um estudo de verificação de viabilidade sobre a tecnologia de corte de cristais únicos de diamante, nitreto de gálio e óxido de gálio.     Como líder inovador em tecnologia de processamento de wafer de carburo de silício, a ZMSH assumiu a liderança no domínio da tecnologia principal de corte a laser de carburo de silício de 8 polegadas.Através do seu sistema de modulação laser de alta precisão desenvolvido de forma independente e da tecnologia de gestão térmica inteligente, alcançou com êxito um avanço na indústria, aumentando a velocidade de corte em mais de 50% e reduzindo a perda de material para 100μm.Nossa solução de corte a laser emprega lasers de pulso ultra curto ultravioleta em combinação com um sistema óptico adaptativo, que pode controlar com precisão a profundidade de corte e a zona afetada pelo calor, garantindo que o TTV da wafer seja controlado dentro de 5μm e que a densidade de deslocação seja inferior a 103cm−2,fornecimento de apoio técnico fiável para a produção em massa em larga escala de substratos de carburo de silício de 8 polegadasAtualmente, esta tecnologia passou a verificação de nível automóvel e está a ser aplicada industrialmente nos campos da nova energia e da comunicação 5G.       O seguinte é o tipo de ZMSH SiC 4H-N & SEMI:               * Por favor, entre em contato conosco para quaisquer dúvidas sobre direitos autorais, e nós os resolveremos prontamente.          

Previsão e desafios dos materiais semicondutores de quinta geração     Os semicondutores são a pedra angular da era da informação, e a iteração dos seus materiais determina diretamente os limites da tecnologia humana.Da primeira geração de semicondutores à base de silício para a atual quarta geração de materiais de banda ultra larga, cada geração de inovação tem impulsionado um desenvolvimento de salto em domínios como comunicação, energia e computação.Analisando as características dos materiais semicondutores de quarta geração e a lógica da substituição geracional, as possíveis direcções dos semicondutores de quinta geração são especuladas e, ao mesmo tempo, o caminho de avanço para a China neste domínio é explorado.       I. Características dos materiais semicondutores de quarta geração e a lógica da substituição geracional         A "Era Fundamental" da primeira geração de semicondutores: silício e germânio     Características:Os semicondutores elementares representados pelo silício (Si) e pelo germânio (Ge) têm as vantagens de baixo custo, processo maduro e alta fiabilidade.são limitados pela largura relativamente estreita da faixa (Si: 1,12 eV, Ge: 0,67 eV), o que resulta em uma baixa tensão de resistência e desempenho de alta frequência insuficiente. Aplicações:Circuitos integrados, células solares, dispositivos de baixa tensão e baixa frequência. A razão para a mudança de geração:Com a crescente demanda por desempenho de alta frequência e alta temperatura nos campos da comunicação e da optoeletrônica, os materiais à base de silício são gradualmente incapazes de atender às demandas.         As placas ópticas Ge Windows & Si da ZMSH         Semicondutores de segunda geração: A "Revolução Optoeletrônica" dos semicondutores compostos   Características:Os compostos do grupo III-V representados pelo arsenieto de gálio (GaAs) e pelo fosfeto de ínio (InP) apresentam uma largura de banda maior (GaAs: 1,42 eV), alta mobilidade de elétrons,e são adequados para conversão de alta frequência e fotoelétrica. Aplicações:Dispositivos de radiofrequência 5G, lasers, comunicações por satélite. Desafios:A escassez de materiais (como as reservas de ínio de apenas 0,001%), os elevados custos de preparação e a presença de elementos tóxicos (como o arsénico). Razão da substituição geracional:Os novos equipamentos de energia e de alta tensão apresentaram requisitos mais elevados de resistência e eficiência à tensão, o que levou ao surgimento de materiais de banda larga.       Wafer GaAs & InP da ZMSH       Semicondutores de terceira geração: a "Revolução da Energia" com banda larga   Características:Com o carburo de silício (SiC) e o nitruro de gálio (GaN) como núcleo, a largura do intervalo de banda é significativamente aumentada (SiC: 3,2 eV, GaN: 3,4 eV), apresentando um campo elétrico de alta degradação,Alta condutividade térmica e características de alta frequência. Aplicações:Sistemas elétricos de propulsão para veículos de nova energia, inversores fotovoltaicos, estações base 5G. Vantagens:O consumo de energia é reduzido em mais de 50% em comparação com os dispositivos à base de silício e o volume é reduzido em 70%. Razão da substituição geracional:Campos emergentes como inteligência artificial e computação quântica exigem materiais de maior desempenho para suporte, e materiais de banda ultra larga surgiram como exigido pelo The Times.       Wafer de SiC e Wafer de GaN da ZMSH       Semicondutores de quarta geração: o "desenvolvimento extremo" da banda ultra larga   Características:Representado pelo óxido de gálio (Ga2O3) e pelo diamante (C), a largura da distância de banda aumentou ainda mais (óxido de gálio: 4,8 eV), apresentando resistência de entrada ultra-baixa e tensão de resistência ultra-alta,e com um enorme potencial de custos. Aplicações:Chips de energia de ultra-alta tensão, detectores ultravioleta profundos, dispositivos de comunicação quântica. Descoberta:Os dispositivos de óxido de gálio podem suportar tensões superiores a 8000 V e a sua eficiência é três vezes superior à do SiC. A lógica da substituição geracional:A busca global de poder de computação e eficiência energética aproximou-se do limite físico, e novos materiais precisam alcançar saltos de desempenho na escala quântica.       Wafer Ga2O3 da ZMSH e GaN On Diamond         II. Tendências em semicondutores de quinta geração: o "projeto futuro" de materiais quânticos e estruturas bidimensionais       Se o caminho evolutivo da "expansão da largura de banda + integração funcional" continuar, os semicondutores de quinta geração podem se concentrar nas seguintes direções: 1) Isolador topológico:Com as características de condução superficial e isolamento interno, pode ser utilizado para construir dispositivos eletrónicos de energia zero,rompendo o gargalo da geração de calor dos semicondutores tradicionais. 2) Materiais bidimensionais:A partir de um estudo recente, foi demonstrado que a quantidade de moléculas de dióxido de carbono (CO2) é muito menor do que a quantidade de moléculas de dióxido de carbono (CO2). 3) Pontos quânticos e cristais fotónicos:Ao regular a estrutura da banda através do efeito de confinamento quântico, a integração multifuncional de luz, eletricidade e calor é alcançada. 4) Biossemicondutores:Materiais de auto-montagem baseados em ADN ou proteínas, compatíveis com sistemas biológicos e circuitos electrónicos. 5) Forças motrizes essenciais:A demanda por tecnologias disruptivas como a inteligência artificial, as interfaces cérebro-computador,e a supercondutividade à temperatura ambiente está a promover a evolução dos semicondutores para a inteligência e biocompatibilidade.       III. Oportunidades para a indústria chinesa de semicondutores: de "seguir" para "manter o ritmo"       1) Avanços tecnológicos e estrutura da cadeia industrial · Semicondutores de terceira geração:A China alcançou a produção em massa de substratos de SiC de 8 polegadas, e os MOSFETs de SiC de grau automotivo foram aplicados com sucesso em fabricantes de automóveis como a BYD. · Semicondutores de quarta geração:A Universidade de Correios e Telecomunicações de Xi'an e o 46o Instituto de Pesquisa do Grupo de Tecnologia Eletrônica da China... conseguiram avançar na tecnologia epitaxial de óxido de gálio de 8 polegadas.Entrando no primeiro escalão do mundo.     2) Apoio político e de capital ·O 14o Plano Quinquenal do país listou os semicondutores de terceira geração como um foco chave, e os governos locais estabeleceram fundos industriais no valor de mais de 10 bilhões de yuans. ·Entre os dez melhores avanços tecnológicos em 2024, foram selecionadas realizações como dispositivos de nitruro de gálio de 6-8 polegadas e transistores de óxido de gálio,Demonstrando uma tendência inovadora em toda a cadeia industrial.       IV. Desafios e o caminho para o avanço       1) Engarrafamento técnico · Preparação do material:O rendimento do crescimento de cristal único de grande porte é baixo (por exemplo, o óxido de gálio é propenso a rachaduras) e a dificuldade de controle de defeitos é alta. · Confiabilidade do dispositivo:Os padrões de ensaio de vida útil sob alta frequência e alta tensão ainda não estão completos e o ciclo de certificação para dispositivos de classe automotiva é longo.       2) Deficiências na cadeia industrial · Os equipamentos de ponta dependem das importações:Por exemplo, a taxa de produção nacional de fornos de crescimento de cristais de carburo de silício é inferior a 20%. · Ecossistema de aplicações fraco:As empresas a jusante preferem componentes importados e a substituição interna requer orientações políticas.     3) Desenvolvimento estratégico 1- Colaboração entre a indústria, a universidade e a investigação:Baseando-se no modelo "Third Generation Semiconductor Alliance",Iremos juntar as mãos com universidades (como a Universidade de Zhejiang, o Instituto de Tecnologia de Ningbo) e empresas para enfrentar as tecnologias centrais.. 2- Concorrência diferenciada:Concentrar-se em mercados incrementais, como a nova energia e a comunicação quântica, e evitar o confronto direto com gigantes tradicionais. 3- Cultivo de talentos:Estabelecer um fundo especial para atrair os melhores estudiosos estrangeiros e promover a construção da disciplina de "Chip Science and Engineering".   Do silício ao óxido de gálio, a evolução dos semicondutores é um épico da humanidade a romper os limites físicos.Se a China conseguir aproveitar a oportunidade dos semicondutores de quarta geração e fazer planos prospectivos para os materiais de quinta geraçãoComo disse o acadêmico Yang Deren, "a verdadeira inovação requer a coragem de tomar caminhos desconhecidos." Neste caminho, a ressonância da política, do capital e da tecnologia determinará o vasto oceano da indústria de semicondutores da China.     A ZMSH, como fornecedora no sector dos materiais semicondutores,estabeleceu uma presença abrangente em toda a cadeia de fornecimento, desde as wafers de silício/germânio de primeira geração até as películas finas de óxido de gálio e diamantes de quarta geraçãoA empresa concentra-se na melhoria da produção em massa de componentes de semicondutores de terceira geração, tais como substratos de carburo de silício e wafers epitaxial de nitreto de gálio.Ao mesmo tempo que avançava em paralelo as suas reservas técnicas em preparação de cristais para materiais de banda ultra largaAproveitando um sistema de P&D, crescimento de cristais e processamento verticalmente integrado, a ZMSH fornece soluções de materiais personalizadas para estações base 5G, dispositivos de energia nova e sistemas de laser UV.A empresa desenvolveu uma estrutura de capacidade de produção graduada que varia de wafers de arsenieto de gálio de 6 polegadas a wafers de carburo de silício de 12 polegadas, contribuindo ativamente para o objectivo estratégico da China de construir uma base material auto-suficiente e controlada para a competitividade dos semicondutores de próxima geração.       A bolacha de safira de 12 polegadas da ZMSH e a bolacha de SiC de 12 polegadas:           * Por favor, entre em contato conosco para quaisquer dúvidas sobre direitos autorais, e nós os resolveremos prontamente.